مقاله نیمه رساناها، نیمرسانا ماده ای است که مقاومت ویژه آن خیلی کمتر از مقاومت ویژه عایق و در عین حال خیلی بیشتر از مقاومت ویژه رساناست، و مقاومت ویژه اش با افزایش دما کاستی می‌پذیرد. مثلا، مقاومت ویژه مس ۸-۱۰اهم – متر کوا رتز۱۰۱۲ اهم – متر، و مقاومت ویژه مواد نیمرسانای، یعنی سیلیسیم ۵/ . اهم- متر و از آن ژرمانیم ۲۳۰۰ اهم -متر در دمای c27 است. برای درک عملکرد نیمرسانا‌ها و ابزار نیمرسانا، قدری آشنایی با مفاهیم اساسی ساختار اتمی‌ماده ضروری است.
:: موضوعات مرتبط:
مقاله،
، :: برچسب‌ها:
نیمه رساناها,
نیمرسانا,
مقاومت ویژه عایق,
مقاومت ویژه رسانا,
مقاومت ویژه,
مقاومت ویژه مواد نیمرسانا,
دیود نیمرسانا,
ژرمانیم,
سیلیسیم,
دیودهای اتصال,
انواع دیودها و کاربرد آنها,
ترانزیستور,
لامپ سه قطبی,
مولدهای شکل موج,
, » ادامه ی مطلب
دانلود پایان نامه مهندسی برق بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی
چکیده مقاله:با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده ای بالا رفته است. گوردن مورمعاون ارشد شرکت اینتل در سال ۱۹۶۵ نظریه ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر ۱۸ ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می¬شود .
این کوچک شدگی نگرانی هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال ۲۰۱۰ باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می کند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد .
نویسنده : ziba
تاریخ : 